近日，我院金湘亮教授课题组为深空应用在抗辐射静电防护器件设计及应用方面取得新进展，该成果以“A 300 krad(Si) TID Tolerant LVTSCR With nA Leakage and Stable ESD Window”为题在国际权威期刊IEEE Electron Device Letters上发表。近年来，金湘亮教授课题组围绕抗辐射静电防护器件设计及应用开展研究，取得了系列研究成果，先后在国际权威期刊IEEE Electron Device Letters2026, DOI:10.1109/LED.2026.3659707;IEEE Transaction on Electron Devices2025, DOI: 10.1109/TED.2025.3586260;IEEE Transactions on Nuclear Science 2025, DOI: 10.1109/TNS.2025.3533214;IEEE Electron Device Letters2024, DOI: 10.1109/LED.2024.3477452等上发表。

空间辐射环境会导致电子器件的氧化物陷阱和硅/氧化物界面陷阱中电荷的沉积和积累，随着时间的推移这种现象会愈发严重。这些效应会显著增加漏电流或使静电放电（ESD）特性超出设计窗口，从而使ESD防护器件失效，传统ESD防护器件无法满足应用要求。因此，在空间应用中实施抗辐射的ESD防护解决方案至关重要。基于此，湖南师范大学物电院金湘亮教授团队提出一种抗辐射的低触发电压可控硅整流器，旨在同时优化维持电压、面积效率、辐射耐受性和兼容窄ESD窗口设计约束。这一成果为深空应用中的集成电路抗辐射静电防护器件提供了新的解决方案。

我院博士研究生刘煜杰和刘小年副教授为论文的共同第一作者，金湘亮教授为本论文的唯一通讯作者，湖南师范大学为论文的第一及通讯单位。该工作得到了国家自然科学基金、湖南省自然科学基金以及湖南省研究生科研创新项目基金的资助。

论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11368844 

一审：金湘亮

二审：贺兵香

三审：廖洁桥