彭桓武科教中心量子论坛第二百二十三讲

报告题目：超导电子学与超导大规模集成电路技术-机遇与挑战
报 告 人：王镇，中科院上海微系统所研究员，国家千人计划专家，中科院超导电子学卓越中心首席科学家。
研究方向：超导薄膜和超导电子学器件物理、超导约瑟夫森结、SIS太赫兹探测器、超导纳米线单光子探测器、超导量子干涉器件等。
报告时间：2021年10月14日下午16：00
报告地点：理学院509

报告摘要：

    超导电子学是凝聚态物理、微纳制造和电子信息技术等多学科交叉的产物，至今已有近六十年的发展历史，并在极高灵敏度探测领域发挥着不可替代的作用。超导集成电路技术是基于超导单磁通量子（Single Flux Quantum, SFQ）电路而构成，通过调控约瑟夫森结（Josephson Junction, JJ）控制超导环路中有无单磁通量子（Ф0 = 2.0678 x 10-15 Wb）来实现数字逻辑功能。超导SFQ电路具有极快的激发速度（~ 1ps）和极低的激发能耗（<10-19J），可望实现功耗低于1 aJ/bit和速度高于100 GHz的数字计算能力。本报告将结合超导电子学和超导集成电路的发展历史和研究现状，重点介绍中科院超导电子学卓越创新中心的最新研究进展，探讨超导量子器件和超导集成电路技术的应用前景。    

报告人简介：

    国家千人计划，中科院上海微系统与信息技术研究所研究员，中科院超导电子学卓越创新中心首席科学家‘中科院特聘研究员。

研究方向涵盖超导薄膜和超导电子学器件物理、超导约瑟夫森结、SIS太赫兹探测器、超导纳米线单光子探测器（SNSPD）、超导量子干涉器（SQUID）、单磁通量子电路（SFQ）、量子比特（Qubit）等各类超导电子学器件及其应用。在Science、Phys. Rev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、Opt. Lett.、IEEE等多种学术刊物发表论文400 余篇。