量子论坛第六讲：

报告题目：低维体系物性的理论表征与调控

报告人：李群祥，中科大学化学物理系、合肥微尺度物质科学国家实验室理论与计算科学研究部教授，博士生导师

报告时间：2017年2月24日下午4：20

报告地点：量子楼410报告厅

报告摘要：电子密度泛函理论计算模拟已成为计算材料科学领域中的一个强有力手段。本报告中，基于第一性原理计算对几个低维体系（如石墨烯，C3N4, CdX）进行物性的理论表征和调控。通过维度，构型变化，引入缺陷，界面耦合，掺杂改性，及边界控制等手段有效调控其能带结构（如能带边与水氧化还原电位匹配问题）和磁性（如半金属和自旋通道切换），预测这些低维材料在半导体光催化（如光解水）和模型器件中具有广阔的应用前景。

报告人简介：李群祥，中国科学技术大学化学物理系、合肥微尺度物质科学国家实验室理论与计算科学研究部教授，博士生导师。目前主要从事电子结构理论计算与模拟工作，侧重单分子表面吸附特性、新型功能材料的结构和物性、以及单分子器件的输运性质等。目前承担和参与6个基金委项目、重大研究计划项目和中科院先导B项目，已在Phys. Rev. B、J. Chem. Phys.和Science等期刊上发表SCI论文100余篇,被引用2500余次。与实验合作者一起在单分子科学方面取得的研究成果曾入选国内十大基础研究和国内十大科技进展。