报告题目：脉冲强磁场对卤化物发光性质的调控

报  告 人：韩一波 教授，华中科技大学

研究方向：磁性半导体自旋光子学

报告时间：2025年5月22日（星期四）上午10:00

报告地点：格物楼326教室

报告摘要：

国家脉冲强磁场中心是首个由高校承建的国家大科学工程装置，于2014年建成，具有国内唯一的在45T-80T磁场强度下开展电输运、磁化、磁光谱、磁共振谱等测量条件。本次报告首先概述超强磁场的研究领域，然后展示本中心的基本架构，最后介绍报告人近年来基于脉冲强磁场对几种卤化物的发光性质的研究工作。这些研究包括CsPbX₃:Mn (X = Cl, Br)纳米晶中的室温圆偏振发光性能优化和sp-d交换作用；二维CsPbBr₃纳米片中由Rashba效应导致的各向异性激子自旋极化发光；以及一维和二维锰卤化物中的自旋序与发光性质的关联性。通过这些研究提炼出卤化物钙钛矿材料中电荷、自旋秩序对自旋极化发光性质的影响规律，为构建新的发光器件和自旋光电子器件提供物理基础。

报告人简介：

韩一波教授2009年在武汉大学获得理学博士学位, 之后进入华中科技大学参加脉冲强磁场装置的建设工作。2011-2013在大阪大学强磁场中心开展博士后研究。研究方向为强磁场下的光谱学。研究体系包括磁性半导体、3d/4f离子发光体系、低维磁阻挫体系等。主导建设和运行脉冲强磁场磁光谱实验室。在Adv. Mater.，PRB等期刊发表学术论文70余篇。